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| 您現(xiàn)在的位置： 青島晨立電子有限公司 > 供應信息> 第四代半導體工藝設備 氧化鎵退火爐 |
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| 發(fā)布時間： |
2024/10/30 14:45:00 |
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用途：
新型的寬禁帶半導體材料,氧化鎵（Ga2O3）由于自身的優(yōu)異性能,憑借其比第三代半導體材料SiC和GaN更寬的禁帶，在紫外探測、高頻功率器件等領域吸引了越來越多的關注和研究。氧化鎵是一種寬禁帶半導體，禁帶寬度Eg=4.9eV，其導電性能和發(fā)光特性良好，因此，其在光電子器件方面有廣闊的應用前景，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。
青島晨立生產的氧化鎵退火爐主要適用于科研單位、高等院校、研究機構及企業(yè)。主要用于2-6英寸氧化鎵的退火等工藝使用。
青島晨立電子有限公司成立于2009年，是半導體設備、真空設備生產、研發(fā)、銷售廠家。為客戶提供先進材料熱處理、高精度電加熱設備及系統(tǒng)集成等全套解決方案。
主要產品：晶圓真空退火爐、晶圓真空合金爐、半導體材料氧化爐、真空共晶爐、封裝外殼燒結爐、非晶材料磁場退火爐、高精度智能溫度控制系統(tǒng)和替代進口的擴散爐加熱器等，同時承接各種微電子生產線，進口半導體專用設備的翻新升級改造及各大專院校科研院所的非標研發(fā)定制工作。
本產品網址：http://m.kangwai.cn/sjshow_507808775/
手機版網址：http://m.vooec.com/trade_507808775.html
產品名稱：第四代半導體工藝設備 氧化鎵退火爐 |
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