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第四代半導(dǎo)體工藝設(shè)備 氧化鎵退火爐

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發(fā)布時間: 2024/10/30 14:45:00
 
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公司名稱:青島晨立電子有限公司
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第四代半導(dǎo)體工藝設(shè)備 氧化鎵退火爐 詳細(xì)說明
  用途:

新型的寬禁帶半導(dǎo)體材料,氧化鎵(Ga2O3)由于自身的優(yōu)異性能,憑借其比第三代半導(dǎo)體材料SiC和GaN更寬的禁帶,在紫外探測、高頻功率器件等領(lǐng)域吸引了越來越多的關(guān)注和研究。氧化鎵是一種寬禁帶半導(dǎo)體,禁帶寬度Eg=4.9eV,其導(dǎo)電性能和發(fā)光特性良好,因此,其在光電子器件方面有廣闊的應(yīng)用前景,被用作于Ga基半導(dǎo)體材料的絕緣層,以及紫外線濾光片。

青島晨立生產(chǎn)的氧化鎵退火爐主要適用于科研單位、高等院校、研究機構(gòu)及企業(yè)。主要用于2-6英寸氧化鎵的退火等工藝使用。

青島晨立電子有限公司成立于2009年,是半導(dǎo)體設(shè)備、真空設(shè)備生產(chǎn)、研發(fā)、銷售廠家。為客戶提供先進材料熱處理、高精度電加熱設(shè)備及系統(tǒng)集成等全套解決方案。

主要產(chǎn)品:晶圓真空退火爐、晶圓真空合金爐、半導(dǎo)體材料氧化爐、真空共晶爐、封裝外殼燒結(jié)爐、非晶材料磁場退火爐、高精度智能溫度控制系統(tǒng)和替代進口的擴散爐加熱器等,同時承接各種微電子生產(chǎn)線,進口半導(dǎo)體專用設(shè)備的翻新升級改造及各大專院校科研院所的非標(biāo)研發(fā)定制工作。
本產(chǎn)品網(wǎng)址:http://m.kangwai.cn/cpshow_224482392/
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產(chǎn)品名稱:第四代半導(dǎo)體工藝設(shè)備 氧化鎵退火爐
 
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