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用于IGBT模塊的活性金屬釬焊(AMB)陶瓷基板
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發(fā)布時(shí)間:
2023/3/15 16:43:00 |
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電 話: |
86-0595-88162686 |
傳 真: |
86-0595-88162687 |
手 機(jī): |
13808556883 |
郵 編: |
362200 |
地 址: |
福建省泉州市晉江市經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)五里園區(qū)靈石路2號(hào) |
網(wǎng) 址: |
http://hq0595.cn.vooec.com |
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公司名稱:福建華清電子材料科技有限公司 |
聯(lián) 系 人:楊大勝 先生 副總經(jīng)理 |
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用于IGBT模塊的活性金屬釬焊(AMB)陶瓷基板 詳細(xì)說(shuō)明 |
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厚度:1.5-10mm,其他厚度提供圖紙可定制導(dǎo)熱系數(shù):170W/米·K介電常數(shù):8-9(兆赫)表面粗糙度:雙面 Ra < 0.6 μm材質(zhì):金屬化陶瓷基板品牌/廠家:其他材質(zhì)類型:氮化硅陶瓷產(chǎn)品名稱:用于IGBT模塊的活性金屬釬焊(AMB)陶瓷基板牌號(hào):福建華清功能:高鐵大功率器件控制模塊對(duì)IGBT模塊封裝用途:隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展,高鐵大功率器件控制模塊對(duì)IGBT模塊封裝的關(guān)鍵材料——陶瓷覆銅板形成了巨大的需求,尤其是AMB基板逐漸成為主流應(yīng)用外觀:金屬化產(chǎn)地:福建晉江密度:3.3 克/立方厘米硬度:400兆帕熔點(diǎn):1900℃燒結(jié)溫度:1800℃適用溫度:1000℃-1800℃熱膨脹系數(shù):10-6 /℃介電強(qiáng)度:8MHz-10MHz抗彎性能:≥450MPa體積電阻率:20℃,Ω .cm相對(duì)介電常數(shù):1MHz規(guī)格尺寸:φ45mm等,其他尺寸提供圖紙可定制 氮化鋁優(yōu)良絕緣,高頻損耗小,耐熱,熱膨脹系數(shù)小,機(jī)械強(qiáng)度大,熱傳導(dǎo)好,耐化學(xué)腐蝕,穩(wěn)定,熱導(dǎo)率高,光傳輸特性好,電性能優(yōu)良,機(jī)械性能好,尺寸大小及厚度可根據(jù)顧客要求定制。公司已經(jīng)擁有一整套從日本、美國(guó)等國(guó)進(jìn)口的、配備完善的電子陶瓷生產(chǎn)設(shè)備和檢測(cè)儀器,是一家規(guī);、采用流延法生產(chǎn)氮化鋁陶瓷基板的企業(yè),主導(dǎo)產(chǎn)品是氮化鋁陶瓷基板及其相關(guān)電子元器件。與國(guó)外同行企業(yè)相比較,在氮化鋁陶瓷基板流延漿料配制、低溫?zé)Y(jié)等方面,公司自有的氮化鋁陶瓷流延法生產(chǎn)技術(shù)與工藝,所生產(chǎn)的氮化鋁陶瓷基板具有高的熱導(dǎo)率、較低的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗、優(yōu)良的力學(xué)性能,可廣泛應(yīng)用于電子信息、電力電子等高技術(shù)領(lǐng)域。開(kāi)發(fā)了一種將氮化鋁 (AlN) 直接晶圓鍵合到鍍有 AlN 的晶圓的方法。晶圓直接鍵合需要光滑、平坦、親水的表面,這些表面能夠被適當(dāng)帶電的氫分子表面處理。華清可以提供非常光滑(Ra≤0.03um)和平坦表面的AlN襯底。我們的氮化鋁基板 (AlN) 有各種尺寸和厚度可供選擇;钚越饘兮F焊(AMB)工藝是直接鍵合銅(DBC)工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。它是利用釬料中所含的少量活性元素與陶瓷反應(yīng)生成可被液體釬料潤(rùn)濕的反應(yīng)層,從而將陶瓷與金屬連接起來(lái)的一種方法。目前,隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展,高鐵大功率器件控制模塊對(duì)IGBT模塊封裝的關(guān)鍵材料——陶瓷覆銅板形成了巨大的需求,尤其是AMB基板逐漸成為主流應(yīng)用。得益于大量的實(shí)時(shí)庫(kù)存,我們可以快速運(yùn)送您的零件,以便您開(kāi)始您的項(xiàng)目。請(qǐng)聯(lián)系我們定制。我們還可以提供導(dǎo)熱系數(shù)高達(dá) 230W/mK 的氮化鋁 (AlN) 陶瓷。 本產(chǎn)品網(wǎng)址:http://m.kangwai.cn/cpshow_224450012/ 手機(jī)版網(wǎng)址:http://m.vooec.com/product_224450012.html 產(chǎn)品名稱:用于IGBT模塊的活性金屬釬焊(AMB)陶瓷基板 |
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